Équipement: Système de traitement plasma haute densité, Nanoplas modèle DSB 600
Description: Le Nanoplas modèle DSB 600 (également référencé dans la littérature comme DSB 6000 Boost) est un système de traitement plasma haute densité utilisé en microfabrication pour le traitement des matériaux, spécifiquement conçu pour le retrait de résine photosensible, le descum et l’élimination des polymères. Il s’agit d’un équipement couramment utilisé dans les installations universitaires et les centres de nanofabrication.
Caractéristiques:
- Fonction : Nettoyage plasma avancé, principalement pour le décapage de résine (ashing), le descum et l’élimination de polymères
- Applications : Utilisé dans les procédés MEMS (systèmes microélectromécaniques) et la fabrication générale de semi-conducteurs, notamment pour l’ouverture de vias et de pads par gravure plasma à l’oxygène
- Capacité de traitement : Traitement en lot jusqu’à 25 wafers (diamètre 150 mm) ou traitement wafer par wafer jusqu’à 200 mm
- Source de puissance : Source ICP (plasma couplé inductivement) de 600 W fonctionnant à 13,56 MHz ; le modèle DSB 6000 Boost peut atteindre jusqu’à 800 W de puissance RF
- Contrôle de la température : Chambre en quartz chauffée (jusqu’à 180 °C) et plateau pour wafer individuel avec chauffage jusqu’à 250 °C
- Interface de contrôle : Système piloté par API (automate programmable industriel) avec interface à écran tactile, permettant une exécution par recettes et l’enregistrement des données
- Conditions de procédé : Procédé sec utilisant généralement une pompe à vide externe et des flux de gaz spécifiques (par exemple, débit d’O₂ de 100 sccm)
Équipement: Applied Materials AM5000 – Système de gravure ionique réactive (RIE)
Description: Le système RIE Applied Materials AM5000 est un équipement polyvalent de génération antérieure utilisé pour la gravure sèche de divers matériaux dans les installations de micro- et nanofabrication. Il fait généralement partie de la plateforme Applied Materials Precision 5000 (P5000), un système modulaire avec chambre de transfert sous vide (load-lock), pouvant être configuré avec plusieurs chambres de procédé pour différentes applications, incluant la gravure et le dépôt.
Caractéristiques:
- Type de procédé : La plateforme P5000 utilise généralement la technologie de gravure ionique réactive assistée magnétiquement (MERIE), exploitant un plasma pour réaliser une gravure anisotrope avec précision
- Modularité : Système modulaire permettant de configurer différentes chambres de procédé (ex. chambres A, B, C) selon les besoins, telles que la gravure des métaux, du silicium ou des diélectriques
- Applications : Utilisé dans les laboratoires académiques et de recherche pour la gravure plasma de matériaux tels que le dioxyde de silicium, le nitrure de silicium, le polysilicium et divers métaux
- Gaz utilisés : Gaz de procédé courants incluant le chlore (Cl₂), le tétrafluorure de carbone (CF₄), le trifluorométhane (CHF₃), l’hexafluorure de soufre (SF₆), l’oxygène (O₂), l’argon (Ar) et le bromure d’hydrogène (HBr)
- Taille des wafers : Configuration typique pour des wafers de 6 pouces (150 mm), avec possibilité de traiter des échantillons plus petits via montage sur wafer porteur
- Détection de fin de procédé : Possibilité d’intégration d’un système de spectroscopie d’émission optique (OES) pour la détection du point d’arrêt, permettant d’identifier la fin de la gravure lorsque le matériau cible est suffisamment exposé
Équipement:DRIE – Oxford Instruments PlasmaPro 100 Estrelas
Description: Le système Oxford Instruments PlasmaPro 100 Estrelas DRIVE est un équipement de gravure plasma haute performance et flexible, conçu pour les applications de gravure ionique réactive profonde (DRIE) en environnements de recherche et de production. Il est principalement utilisé dans les domaines des MEMS, du packaging avancé et des nanotechnologies.
Caractéristiques:
- Gravure ionique réactive profonde (DRIE) : Spécialisé dans la réalisation de trous et de tranchées profonds avec des parois quasi verticales, offrant des profils fortement anisotropes
- Flexibilité des procédés : Capable d’exécuter à la fois le procédé Bosch™ à haut débit (alternance gravure/passivation) et la gravure cryogénique de haute précision dans une même chambre, sans modification matérielle
- Compatibilité des substrats : Prise en charge de différentes tailles de substrats, de 50 mm jusqu’à des wafers de 200 mm
- Haute performance : Taux de gravure élevés, forte sélectivité vis-à-vis des masques, parois lisses et procédés à fort rapport d’aspect
- Contrôle avancé : Équipé de régulateurs de débit massique (MFC) rapides, de sources plasma haute densité, d’un contrôle automatique de la pression et du système de contrôle X20 pour une reproductibilité et une fiabilité accrues
- Options matérielles : Configuration possible avec chargement semi-automatique, maintien des wafers par serrage mécanique ou électrostatique, et accessoires optionnels tels qu’un système de gestion automatique d’azote liquide pour le contrôle thermique
Applications:
Le PlasmaPro 100 Estrelas est utilisé dans de nombreuses applications, notamment :
- Fabrication de dispositifs MEMS
- Packaging avancé et vias traversants dans le silicium (TSV)
- Réalisation de nanostructures et microstructures
- Gravure de structures sur silicium sur isolant (SOI)
- Gravure de vias inclinés et formation de cavités à haut débit
Équipement: ICP-RIE Plasma-Therm Apex SLR
Description: Le Plasma-Therm Apex SLR est un système polyvalent de gravure ionique réactive couplée inductivement (ICP-RIE), utilisé en microfabrication pour la gravure de précision à l’échelle nanométrique de divers matériaux tels que les semi-conducteurs III-V, le silicium, les diélectriques et les polymères. Il se distingue par un contrôle découplé de la densité plasma (ICP) et de l’énergie ionique (CCP), permettant d’atteindre des taux de gravure élevés et une grande précision. Le système intègre un sas de transfert (load-lock) pour maintenir la propreté, un refroidissement arrière à l’hélium, et une flexibilité pour différentes tailles de wafers (jusqu’à 150 mm) et chimies de gravure (Cl, F, etc.), adaptées aux applications en MEMS, photonique et recherche avancée.
Caractéristiques:
- Plasma haute densité : Source ICP (ex. 2 MHz, 1 kW) pour générer un plasma dense, combinée à une source CCP indépendante (ex. 13,56 MHz, 300 W) pour le biais substrat, permettant un contrôle indépendant du flux et de l’énergie des ions
- Polyvalence des matériaux : Capable de graver le Si, SiO₂, SiNₓ, des métaux (Cr), des polymères (résine photosensible, polyimide) et des semi-conducteurs composés (GaN, etc.)
- Gaz de procédé : Prise en charge de diverses chimies, incluant Cl₂, BCl₃, O₂, Ar, CH₄, H₂, CF₄, CHF₃, HBr et SF₆
- Contrôle de la température : Régulation précise de la température du substrat, généralement avec refroidissement liquide et refroidissement arrière à l’hélium, essentiel pour la gravure profonde du silicium (DRIE) et le maintien de la sélectivité
- Manipulation des wafers : Intègre un sas de chargement (load-lock) pour le maintien du vide, permettant le traitement de wafers de différentes tailles (100 mm, 150 mm) ainsi que de petits échantillons montés sur wafer porteur
Applications:
- Gravure ionique réactive profonde (DRIE) du silicium
- Gravure de semi-conducteurs III-V pour lasers et photodiodes
- Gravure de diélectriques à haute constante diélectrique (high-k)
- MEMS, photonique, éclairage à semi-conducteurs et R&D / production pilote
Équipement: ICP-RIE F₂ / Cl₂ – Oxford Instruments PlasmaPro 100 Estrelas
Description: Le système Oxford Instruments PlasmaPro 100 ICP-RIE est un équipement de gravure sèche polyvalent pouvant être configuré pour utiliser des chimies à base de fluor (F₂) et de chlore (Cl₂). Ces chimies sont généralement séparées dans des chambres dédiées afin d’éviter toute contamination croisée.
Le système permet un contrôle indépendant de la densité plasma (source ICP) et de l’énergie ionique (source RIE), essentiel pour répondre aux exigences spécifiques des procédés de gravure fluorés et chlorés.
Les procédés à base de fluor sont principalement utilisés pour la gravure profonde du silicium (DRIE), ainsi que pour le dioxyde de silicium et le nitrure de silicium, à l’aide de gaz tels que SF₆, C₄F₈ et CHF₃.
Les procédés à base de chlore sont dédiés à la gravure des semi-conducteurs III-V (GaAs, InP, GaN), de certains métaux (Al, Cr, Pt) et de matériaux diélectriques spécifiques, utilisant des gaz tels que Cl₂, BCl₃ et HBr.
Caractéristiques:
- Plasma haute densité : Source ICP Cobra assurant des taux de gravure élevés et une forte sélectivité
- Contrôle précis de la température : Électrode couvrant une large plage de température (-150 °C à 400 °C) avec refroidissement arrière à l’hélium, permettant des procédés critiques tels que la gravure cryogénique ou la gravure de métaux à haute température
- Flexibilité des procédés : Conception modulaire de la série PlasmaPro 100 permettant l’intégration de multiples lignes de gaz (jusqu’à 12 ou plus), supportant différentes chimies dans des configurations dédiées
- Système load-lock : Sas de chargement standard réduisant la contamination atmosphérique et améliorant la reproductibilité des procédés
Applications:
- MEMS
- Gravure de tranchées profondes CMOS (procédé Bosch)
- Photonique sur silicium
- Optoélectronique (lasers, LED)
- Électronique de puissance
- Structuration de métaux
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